半导体器件原理与工艺器件.pptxVIP

半导体器件原理与工艺器件;半导体器件原理;半导体器件;;微电子学研究领域;固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体;;半导体材料的纯度和晶体结构;晶体结构;;密勒(Miller)指数;;(111)晶面;半导体中的缺陷;+14;半导体模型;半导体的能带 （价带、导带和带隙〕;价带：0K条件下被电子填充的能量的能带 导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;半导体、绝缘体和导体;载流子的特性;有效质量;;施主和受主的相互补偿;态密度;费米分布函数;平衡载流子分布;平衡载流子浓度;平衡载流子浓度;;本征载流子浓度;杂质半导体的载流子浓度;举例;;掺杂半导体;特殊情况;举例;载流子浓度与温度的关系;;热运动;热能和热速度;漂移电流;迁移率;影响迁移率的因素;;漂移电流与电导率;电阻率与掺杂的关系;扩散;;扩散电流;半导体内总电流;能带弯曲;;扩散系数和迁移率的关系;;产生和复合;复合;产生;过剩载流子和电中性;由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子;复合寿命;复合;半导体器件;PN结杂质分布;PN结杂质分布;PN结中的能带;内建电势;内建电势;;Poisson方程;耗尽近似;耗尽层模型;突变结耗尽区的电场与电势分布;电场分布;;电势分布;耗尽层宽度;耗尽层宽度;VA?0条件下的突变结;反偏PN结;线性缓变结;;理想二极管方程;理想二极管方程;准费米能级;定量方程;准中性区的载流子运动情况;;;耗尽层边界(续);准中性区载流子浓度;理想二极管方程;理想二极管方程(1);;电子电流;PN结电流;;PN结电流与温度的关系;载流子电流;与理想情况的偏差;空间电荷区的产生与复合;空间电荷区的产生与复合-1;VA?Vbi时的大电流现象;VA?Vbi时的大电流现象-1;VA?Vbi时的大电流现象-2;VA?Vbi时的大电流现象-3;PN结的击穿特性;雪崩倍增击穿;雪崩击穿电压与掺杂浓度的关系;雪崩击穿电压与半导体外延层厚度的关系;扩??结结深对击穿电压的影响;雪崩击穿通用公式;齐纳过程;两种击穿的区别;PN结二极管的等效电路;反向偏置结电容;反向偏置结电容-1;反向偏置结电容-2;参数提取和杂质分布;扩散电容;扩散电容-1;扩散电容-2;小信号特性;小信号特性-1;小信号等效电路;;瞬态关断特性-2;;存储延迟时间-1;存储延迟时间-2;瞬态开启特性;瞬态开启特性-1;瞬态开启特性-2;小结;谢谢观看！