1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.35万字
  • 约 12页
  • 2023-05-14 发布于四川
  • 举报

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED.pdf

    本发明公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED，所述深紫外LED外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的Mg掺杂BaAlbGa1‑a‑bN层、BxAlyGa1‑x‑yN纳米团簇层/Mg掺杂BxAlyGa1‑x‑yN层超晶格层。本发明提供的深紫外LED外延片能够提高深紫外LED外延片的光提取效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115863503 A (43)申请公布日 2023.03.28 (21)申请号 202310173554.0 (22)申请日 2023.02.28 (71)申请人 江西兆驰半导体有限公司 地址

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >