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本发明公开了一种沟槽栅双极型晶体管及其制作工艺，所述晶体管包括背面结构和正面结构，所述背面结构包括自下而上依次层叠设置的第三电极(103)、第二导电类型半导体第三电极基区(306)、第一导电类型半导体场截止区(305)和第一导电类型半导体漂移区(101)，所述正面结构与背面结构呈对称设置，所述正面结构中设置有椭圆柱状结构的第二导电类型区(108)，所述第二导电类型区(108)与第二导电类型沟槽区(118)直接接触。本发明在传统纵向IGBT器件结构的基础上，在第三电极处设置第三电极区高掺杂接收区域
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116110961 A
(43)申请公布日 2023.05.12
(21)申请号 202310153603.4
(22)申请日 2023.02.22
(71)申请人 强华时代（成都）科技有限公司
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