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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件的制作方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、在垂直于衬底的纵向上依次形成的堆叠结构和硬掩膜层；在硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，光刻胶层具有至少一个第一开口，第一开口包括沿第一方向依次分布的第一部分开口、中间部分开口和第二部分开口，其中，第一部分开口、中间部分开口和第二部分开口在第二方向上分别具有第一宽度、中间宽度和第二宽度，中间宽度小于第一宽度和第二宽度。通过形成具有较小尺寸的中间部分开口的第一开口，调整在形成第一栅线缝隙时聚合物的分布
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695369 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202210305181.3 H01L 27/11582 (2017.01)
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