半导体元件结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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半导体元件结构及其制造方法.pdf

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本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法，其中该半导体元件结构包括电路基板。第一金属块层设置在所述电路基板上。缓冲层设置在所述第一金属会层上。吸收层设置在所述缓冲层上。第一电极层设置在所述吸收层上。多个压电材料单元设置在所述第一电极层。保护层共形地设置在所述多个压电材料单元上。第二金属块层设置在所述多个压电材料单元的上方，包括第一部件与第二部件。所述第一部件穿过所述保护层设置在所述多个压电材料单元上，当作第二电极层。所述第二部件与所述第一部件同高度，且至少电连接到所述第一电极层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114679150 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202011545152.1 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台