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本发明涉及一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备，其包括滚筒，滚筒设置固定同一硅产品的固定槽倾斜设置，滚筒内安装硅产品后浸入酸液中对硅环等硅产品进行刻蚀，使设置在硅产品高深宽比的小孔孔径延伸方向和酸液液面形成一定的倾斜角度，使酸液能够浸入倾斜小孔内，小孔表壁的硅与刻蚀液发生反应之后生成气体，气体在刻蚀液中形成气泡，气泡在浮力作用下沿着小孔壁向上溢出，同时会补充新的酸液进入小孔的底部进行反应，可以使小孔底部与小孔顶部保持相同的反应速率，进而保持底部刻蚀的直径与顶部的刻蚀直径大体相同，完成刻蚀后的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116110832 A
(43)申请公布日 2023.05.12
(21)申请号 202211634944.5
(22)申请日 2022.12.19
(71)申请人 宁夏盾源聚芯半导
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