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一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备.pdfVIP

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  • 2023-05-14 发布于四川
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一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备.pdf

    本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备，涉及半导体器件技术领域，用以抑制环栅晶体管漏电问题的产生。该半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成立体沟道结构、源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构均与立体沟道结构连接；立体沟道结构采用离子扩散方式或原位掺杂方式形成；在立体沟道结构上形成栅极结构，获得环栅晶体管。本发明提供的半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备用于半导体器件及集成电路的制作。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111243955 A (43)申请公布日 2020.06.05 (21)申请号 20201

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