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本发明是一种钝化接触太阳能电池及其背面钝化结构的制作方法。该钝化接触太阳能电池包含硅基板及的背面钝化结构，该背面钝化结构包含穿隧氧化层、N型掺杂多晶硅薄膜及覆盖层，该穿隧氧化层形成于该硅基板上，该N型掺杂多晶硅薄膜通过等离子体增强化学气相沉积制程形成于该穿隧氧化层上，且该N型掺杂多晶硅薄膜的厚度介于30‑100nm之间，该覆盖层形成于该N型掺杂多晶硅薄膜上，以等离子体增强化学气相沉积制成的该N型掺杂多晶硅薄膜能让穿隧氧化层保有良好的钝化能力，而提高该钝化接触太阳能电池的转换效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116110977 A
(43)申请公布日 2023.05.12
(21)申请号 202111326290.5
(22)申请日 2021.11.10
(71)申请人 财团法人金属工业研究发展中心
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