原创力文档- 1
- 0
- 约1.93万字
- 约 18页
- 2023-05-15 发布于四川
- 举报
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构，所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底中分别形成有第一阱区和第二阱区；分别在所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上形成预先掺杂的第一栅极层和第二栅极层。本申请所述的半导体结构的形成方法，使用原位掺杂工艺来形成预先掺杂的栅极层，可以避免栅极层被大量粒子注入导致多晶穿透效应，杂质粒子进入沟道而影响器件性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725210 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110009257.3
(22)申请日 2021.01.05
(71)申请人 中芯国际集成电路制
文档评论（0）