具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构.pdf

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本公开涉及具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构。提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方淀积二维(2D)材料层；形成与半导体结构和2D材料层电连接的源极特征和漏极特征，其中源极特征和漏极特征包括半导体材料；并且在二维材料层上方形成栅极结构，该栅极结构介于源极特征和漏极特征之间。栅极结构、源极特征、漏极特征、半导体结构和2D材料层被配置为形成场效应晶体管。半导体结构和2D材料层分别充当源极特征和漏极特征之间的第一沟道和第二沟道。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725095 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210118439.9 H01L 21/8256 (2006.01) (22)申请日 2022.0