高压金属栅极器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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高压金属栅极器件的制造方法.pdf

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本发明公开了一种高压金属栅极器件的制造方法，经过正常工艺的栅极金属沉积之后，进行栅极金属的CMP工艺时，先进行第一次CMP工艺将栅极金属预先减薄到一定厚度，然后沉积一层阻挡介质层，过光刻打开大面积的高压栅极区域，通过蚀刻把除大面积的高压栅极区域之外的阻挡介质层去除，在对栅极金属进行第二次CMP工艺时，由于高压栅极区域的大面积栅极金属的表面有阻挡介质层，研磨偏慢，不会造成CMP碟形下凹。该高压金属栅极器件的制造方法，不但不存在大块栅极金属的碟形下凹问题，同时也能避免因影响栅极介质层而导致影响高压器

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110789 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202111320661.9 (22)申请日 2021.11.09 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址