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半导体结构检查方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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半导体结构检查方法.pdf

    本发明的一部分涉及一种半导体结构检查方法，所述半导体结构检查方法将高原子序数材料施加到晶片的半导体结构的一个或多个表面。一个或多个表面在与晶片的表面的深度不同的深度处。使电子束扫描遍及半导体结构，以使得在集电极处收集反向散射电子信号。基于集电极处的由高原子序数材料产生的反向散射电子信号的强度来产生半导体结构的轮廓扫描。高原子序数材料增加半导体结构的一个或多个表面的反向散射电子信号的强度，使得轮廓扫描中的对比度增加。轮廓扫描的增加的对比度实现半导体结构的准确临界尺寸测量。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114724971 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110727771.0 (22)申请日 2021.06.29 (30)优先权数据 17/249,965 2021

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