一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法.pdf

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本发明公开了一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法。本发明利用具有一维晶体结构的铜基卤化物闪烁体材料(CsCu2I3、Cs5Cu3Cl6I2)，在柔性衬底上制备了柱状晶结构的闪烁体厚膜，一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体厚膜从根本上解决了多晶晶界产生缺陷的问题。并且利用近空间升华法蒸发，由于蒸发源和衬底的距离很近(几毫米)，蒸发速度可以很快(30‑50μm/min)，从而能够快速制备百微米级的闪烁体厚膜，不仅提升了制备效率，而且大大降低了制备成本。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116024527 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202310127470.3 C30B 29/12 (2006.01)