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本发明涉及半导体外延生长的技术领域，公开了一种用于制备半导体材料的石墨部件及其复合涂层和制备方法；在石墨基体和碳化钽涂层之间设置了一层混合物过渡层，该混合物过渡层的材质包括碳化硅和SiNx，碳化硅和SiNx的热膨胀系数与碳材料的热膨胀稀释相差不大，因此混合物过渡层和石墨基体两者之间可以牢固地结合，由混合物过渡层连接石墨基体与碳化钽涂层，增加了复合涂层的结合强度，解决了现有技术中碳化钽涂层和碳材料的热膨胀系数相差特别大，在碳化硅制备过程中碳化钽涂层容易脱落，导致石墨基体与空气中腐蚀性气体发生反应，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115677386 A
(43)申请公布日 2023.02.03
(21)申请号 202211568619.3
(22)申请日 2022.12.08
(71)申请人 深圳市志橙半导体材料有限公司
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