一种ICP刻蚀对GaN材料表面损伤检测装置.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种ICP刻蚀对GaN材料表面损伤检测装置.pdf

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本发明涉及GaN材料损伤检测技术领域。本发明涉及一种ICP刻蚀对GaN材料表面损伤检测装置。其包括固定装置和设置于固定装置上的测试装置，固定装置包括底座，测试装置包括检测机构，检测机构包括检测件。本发明在对GaN半导体材料刻蚀位置进行检测时，采用注入液体的方式对刻蚀位置进行检测，根据注入液体的量判断GaN半导体材料刻蚀位置是否存在损伤，在注满检测液时，通过检测液的压力使压力环向上移动，进而带动流通环向下移动，避免检测液再经过流通槽流动至GaN半导体材料刻蚀位置，导致GaN半导体材料刻蚀位置受到的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115808508 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202310049844.4 (22)申请日 2023.02.01 (71)申请人武汉鑫威源电子科技有限公司地址