一种紫外LED外延结构及其生长方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种紫外LED外延结构及其生长方法.pdf

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一种紫外LED外延结构及其生长方法，涉及半导体材料技术领域；包括：在衬底上依次生长的缓冲层、非故意掺杂层、n型掺杂层、多量子阱发光层、EBL层和p型AlGaN层；所述缓冲层包括依次生长的AlN层、AlGaN层和AlInGaN层，所述缓冲层生长温度700‑1100℃。本发明能提高LED外延片的晶体质量，降低缺陷导致的非辐射复合，提高了电子和空穴的复合几率，提升了内量子效率，极大提高了发光效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725260 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210222974.9 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人广州市众拓光电科技有限公司地址