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本发明提供一种非易失性存储器架构、芯片，非易失性存储器架构包括：第一存储电路、第二存储电路、以及读出灵敏放大器；第一存储电路和第二存储电路具有相同结构，包括：存储阵列、行选择电路、列解码电路、列选择开关电路、锁存器；第一存储电路中存储阵列位于第一衬底中，第二存储电路中存储阵列位于第二衬底中；第一衬底和第二衬底是物理上分开的两个不同的阱；第一存储电路和第二存储电路中存储单元连接不同的位线，并且一一对应；读出灵敏放大器通过逻辑开关与位线连接，用于在与其相连的位线被选中时，读取选中存储单元中的数据。该
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116110475 A
(43)申请公布日 2023.05.12
(21)申请号 202111322807.3
(22)申请日 2021.11.09
(71)申请人 上海复旦微电子集
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