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本发明公开了一种智能功率模块拓扑驱动控制结构，涉及IPM模块的简化和变频驱动控制芯片、IGBT/MOSFET门极驱动芯片的集成，解决了因封装工艺的不同导致IPM生产成本较高的问题；包括控制芯片、门极驱动电路模块、IGBT/MOSFET模块和附属模块；所述控制芯片与门极驱动电路模块集成，采用芯片封装工艺进行封装，所述IGBT/MOSFET模块和附属模块采用半导体封装工艺进行封装；在不改变原有智能功率模块拓扑结构的基础上，采用全新的封装工艺，简化了原始智能功率模块拓扑结构的内部结构，降低了智能功率模
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116032101 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202310170975.8 H01L 21/56 (2006.01)
(22)申请日 2023.02.
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