一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法.pdf

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本发明提供一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，半导体结构包括半导体基底，半导体基底上定义有SONOS区域、选择栅区域；半导体结构上表面设有覆盖选择栅区域的牺牲氧化层；SONOS区域以及牺牲氧化层上设有第一氧化层，第一氧化层上设有ONO层；SONOS区域上形成有光刻胶；去除SONOS区域上的光刻胶，将SONOS区域上的ONO层暴露；之后被暴露的SONOS区域上的ONO层上形成第二氧化层；去除第二氧化层；对半导体结构进行涂光刻胶，曝光和显影后选择栅区域被打开，SONOS区域上

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116033755 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202310150280.3 (22)申请日 2023.02.21 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址