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本发明公开了一种改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成半导体器件的栅极结构。步骤二、在栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式外延层。步骤三、以栅极结构的侧面为自对准条件进行LDD注入形成LDD区，通过LDD注入放置在嵌入式外延层的形成之后，以避免嵌入式外延层的形成工艺对LDD区的掺杂杂质产生损失，从而改善热载流子注入效应。步骤四、进行源漏注入。本发明能防止LDD区的掺杂杂质损失，从而改善器件的热载流子注入效应。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116031210 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202310150337.X
(22)申请日 2023.02.21
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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