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- 2023-05-15 发布于四川
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本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述晶圆键合结构包括：底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有底部介质层；第一晶圆，键合于所述底部晶圆表面，所述第一晶圆面向所述底部晶圆的一面形成有第一介质层，所述第一晶圆和所述底部晶圆通过所述底部介质层和所述第一介质层键合，所述第一晶圆的边缘具有气泡缺陷的一部分被去除。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，在晶圆键合之后及时去除键合晶圆边缘处的气泡缺陷，提高器件可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116110799 A
(43)申请公布日 2023.05.12
(21)申请号 202111334934.5 H01L 21/304 (2006.01)
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