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本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108428699 A
(43)申请公布日
2018.08.21
(21)申请号 20171
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