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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：在所述鳍部内形成沿所述鳍部延伸方向贯穿所述鳍部的第一开口，所述第一开口底部暴露出所述第一区；在所述第一开口底部暴露出的所述第一区内形成第二开口，所述第二开口在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的尺寸大于所述第一开口在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的尺寸；在所述第一开口内和所述第二开口内形成第一隔离结构。所述第一隔离结构部分位于所述第一开口内，不改变器件单元尺寸，不会导致器件密度的降低；另一方面，所述第一隔离结构在位于所述第二开口内的部分尺寸较大，可以有效地隔离位于第一

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725215 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110013465.0 (22)申请日 2021.01.06 (71)申请人 中芯国际集成电路新技术研发(上

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