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本发明涉及中红外激光领域,具体提供了一种中红外光纤激光系统,包括半导体泵浦源、稀土离子掺杂中红外光纤和中红外激光出射口;半导体泵浦源包括具有双发光区的半导体面发射激光泵浦源芯片,泵浦源芯片从下至上依次包括N型电极层、衬底层、N型DBR反射镜、下限制层、有源层、上限制层、氧化层、P型盖层、P型电极层和P型介质膜反射镜,P型电极层上包括两个出光孔,氧化层上包括氧化孔;中红外激光出射口从下至上依次包括光纤包层、光纤芯层和刻蚀的二阶光栅结构;中红外光纤包括光纤包层和光纤芯层。本方案中的两个发光区可分别与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116031737 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202211697406.0
(22)申请日 2022.12.28
(71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物
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