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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的衬底中分别形成有漏区和源区，且栅极结构和衬底的表面上覆盖有阻挡层；形成连接材料层覆盖阻挡层，图形化连接材料层以形成若干连接图形，且若干连接图形的顶部齐平；形成介质层，刻蚀介质层以形成若干第一开口；沿第一开口刻蚀去除连接图形，连接图形所在的区域转变为第二开口；沿第二开口刻蚀去除第二开口底部的阻挡层，第一开口和第二开口连通构成接触孔；以及，在接触孔中填充金属材质以形成接触插塞。本发明能够有效避免因刻蚀量差异导致
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116031205 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202310322791.9
(22)申请日 2023.03.30
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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