形成半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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形成半导体器件的方法.pdf

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形成半导体器件的方法包括在第一半导体区域上方形成第一栅极堆叠件，在第一栅极堆叠件上沉积间隔件层，以及在间隔件层上沉积伪间隔件层。伪间隔件层包括含金属材料。对伪间隔件层和间隔件层执行各向异性刻蚀工艺，以分别形成栅极间隔件和伪侧壁间隔件。蚀刻第一半导体区域以形成延伸到第一半导体区域中的凹槽。将第一栅极堆叠件、栅极间隔件和伪侧壁间隔件用作蚀刻掩模来蚀刻第一半导体区域。该方法还包括在凹槽中外延生长源极/漏极区域，以及在生长源极/漏极区域之后，去除伪侧壁间隔件。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110854 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202210886855.3 (22)申请日 2022.07.26 (30)优先权数据 63/298,705 2022