三维半导体装置.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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三维半导体装置.pdf

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提供了一种三维(3D)半导体装置，所述3D半导体装置可以包括：第一有源区域，位于基底上，第一有源区域包括下沟道图案以及分别位于下沟道图案的相对的侧表面上的一对下源极/漏极图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，第二有源区域包括上沟道图案以及分别位于上沟道图案的相对的侧表面上的一对上源极/漏极图案；虚设沟道图案，位于下沟道图案与上沟道图案之间；一对衬层，分别位于虚设沟道图案的相对的侧表面上；以及栅电极，位于下沟道图案、虚设沟道图案和上沟道图案上。栅电极可以包括位于下沟道图案上的下栅电极和位于上沟

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110904 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202210897334.8 (22)申请日 2022.07.28 (30)优先权数据 10-2021-0152930