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                本发明公开了一种快恢复共源共栅GaN功率模块,该共源共栅GaN功率模块包括:GaN功率器件、硅MOS管,以及快恢复功能器件;所述GaN功率器件与所述硅MOS管串联,所述快恢复功能器件与所述硅MOS管并联,形成共源共栅结构。利用本发明方案,可以减少共源共栅GaN功率模块的开关损耗,避免误开风险。
                    
   (19)国家知识产权局 
                             (12)发明专利申请 
                                                     (10)申请公布号 CN 116032268 A 
                                                     (43)申请公布日 2023.04.28 
   (21)申请号  202310082997.9 
   (22)申请日  2023.02.06 
   (71)申请人  无锡芯朋微电子股份有限公司 
      地址 
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