半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括设有沟槽的衬底、非共形衬垫应用层、栅氧化层和栅极。在形成栅氧化层前，于衬底上表层和沟槽的第一槽壁上形成非共形衬垫应用层。由于非共形衬垫应用层与衬底材质不同，因此，两者对于栅氧化层的长膜速率存在差异。具体而言，相对于在衬底上生长栅氧化层，非共形衬垫应用层能够抑制栅氧化层的生长，因此，位于非共形衬垫应用层上的栅氧化层厚度要小于位于衬底上的栅氧化层厚度，由此在沟槽内填入栅极时不会提早封口造成空洞或缝隙，从而能够保证半导体器件的电性参数和产品良率

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116031294 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202310302526.4 (22)申请日 2023.03.27 (71)申请人合肥新晶集成电路有限公司地址