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本发明公开了一种大范围温度下激光器波长高精度控制结构及实现方法,该结构包括设于电路板上、且包覆于封装结构内的半导体激光器,封装结构内设有检测封装结构内部环境温度的第一热敏电阻、用于对封装结构内部环境进行制冷或制热的二级半导体制冷器,电路板上还设有根据第一热敏电阻的检测结果控制二级半导体制冷器制冷或制热的MCU;该方法包括确定封装内部恒温区间、检测内部环境温度、确定内部环境温度与封装内部恒温区间的关系、根据两者关系调整半导体激光器所处的内部环境温度等过程。本发明可以使得半导体激光器可以适应大范围的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116031748 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202211697065.7 H01S 5/06 (2006.01)
(22)申请日 2022.12.2
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