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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明公开一种半导体结构及其制备方法、以及电子元器件，所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供一基材，所述基材上设有多个间隔设置的栅极结构，相邻两个所述栅极结构之间形成有沟槽，所述栅极上方设有掩膜层；在所述基材上设置填充所述沟槽并覆盖所述掩膜层的填充层；去除所述栅极上方的掩膜层以及部分填充层，以暴露所述栅极结构；在所述栅极结构上裁剪形成图案开口，再去除所述沟槽内的填充层；在所形成有图案开口的所述基材上形成层间介电质层，然后平坦化，以暴露所述栅极结构，制得半导体结构。本发明采用先蚀刻后沉积的方式
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114724951 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110015880.X
(22)申请日 2021.01.06
(71)申请人 广州集成电路技术研究院有限公司
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