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本发明公开了一种获取硅单晶最佳拉速以制备高BMD密度12英寸外延片的方法，该方法在拉制单颗单晶的过程中逐步降低拉晶速率，通过比较不同速率下拉制的单晶外延片热处理后的BMD密度来确定适合的拉晶速率。该实验工艺包括以下步骤：S1、首先采用直拉法在磁场下逐步降低拉晶速率制备12英寸重掺硼硅单晶棒；S2、然后将单晶棒依次进行线切、倒角、减薄、抛光、清洗处理，得到抛光片；S3、在抛光片表面外延生长单晶硅；S4、对不同拉速下得到的单晶的抛光片和以其为衬底制备的外延片进行热处理；S5、测量热处理后抛光片和外延
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114737251 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210364769.6 C30B 23/02 (2006.01)
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