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半导体元件及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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半导体元件及其形成方法.pdf

    一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括半导体基板。半导体元件包括从半导体基板突出并沿第一方向延伸的第一鳍片。半导体元件包括从半导体基板突出并沿第二方向延伸的第一鳍片。耦合至第一鳍片的第一磊晶源极/漏极区与耦合至第二鳍片的第二磊晶源极/漏极区通过空隙彼此侧向隔开。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725092 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110662569.4 H01L 21/8238 (2006.01) (22)申请日 2021.0

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