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- 2023-05-15 发布于四川
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本公开提供了一种半导体器件及其操作方法。半导体器件可以包括字线、与字线交叉的位线、以及耦接到字线和位线以接收用于控制存储单元的电信号并且包括切换材料层和氧化‑还原可逆材料层，所述氧化‑还原可逆材料层与所述切换材料层接触以允许氧化反应或还原反应响应于电信号的不同幅值和不同极性而发生，其中氧化‑还原可逆材料层和切换材料层响应于电信号的第一阈值电压和第一极性以在切换材料层与氧化‑还原可逆材料层之间产生氧化界面，而响应于电信号的第二阈值电压和第二极性以减少氧化界面的产生。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725156 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110967230.5
(22)申请日 2021.08.23
(30)优先权数据
10-2021-0001136
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