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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明涉及异质结电池技术领域,具体提供一种异质结电池的制备方法及异质结电池。该异质结电池的制备方法,包括:形成半导体衬底层,半导体衬底层的正面和/或背面为抛光面;在半导体衬底层的抛光面一侧形成透明导电膜;对透明导电膜进行刻蚀,以在透明导电膜背离抛光面的一侧表面形成减反射结构。该异质结电池中半导体衬底层的表面比较平整,即使生长较薄的透明导电膜均匀性也较好,透明导电膜对电流的引出比较均匀,能够提高透明导电膜对电流的收集能力;由于无须对半导体衬底层进行制绒清洗制绒处理,半导体衬底层较厚,较厚的半导体衬
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725246 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202210383405.2
(22)申请日 2022.04.12
(71)申请人 安徽华晟新能源科技有限公司
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