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本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法和应用。本发明的紫外探测器的组成包括依次层叠设置的衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层和源‑漏电极层，AlGaN势垒层中设置有多个镁掺杂AlxGa1‑xN区域，x取0.01～0.5。本发明的紫外探测器的制备方法包括以下步骤：1)在衬底上依次外延生长GaN外延层和AlGaN势垒层；2)在AlGaN势垒层中形成镁掺杂AlxGa1‑xN区域；3)在AlGaN势垒层上沉积源‑漏电极层，即得紫外探测器。本发明的紫外探测器的暗电流小、灵敏度高、响应速度快，且其制备过程简
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114744071 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210317233.9
(22)申请日 2022.03.29
(71)申请人 华南理工大学
地址 510641
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