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一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法.pdf

    为了解决3DNANDFlash数据保留错误导致的数据可靠性差和数据保存时间短的问题，本发明公开了一种3DNANDFlash减小数据保留错误的编程方法。本发明首先通过使3DTLC/QLC型NANDFlash存储块内的部分字线按照指定的编程顺序进行第一轮的编程操作，然后根据不同存储块的P/E磨损程度不同，在经过特定的数据保存时间之后再对不同存储块的剩余字线进行第二轮的编程操作，最终使得编程块中一半字线中存储数据的保留错误大量减少，错误率上升速度大幅降低。通过使用本方法，3DTLC/QL

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765043 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110059185.3 (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人 南京大学 地址 210046 江苏

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