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2023-05-16 发布于四川
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一种无电容DRAM单元(200)包括异质结构、在第一方向上邻接该异质结构的栅极结构(106、107)、在垂直于该第一方向的第二方向上邻接该异质结构的漏极结构(108)、以及在与该第二方向相反的方向上邻接该异质结构的源极结构(104)，该异质结构包括一个或多个半导体的沟道层(610、612)和一个或多个电绝缘的阻挡层(620、622、624)，该沟道层(610、612)和该阻挡层(620、622、624)在该第一方向上交替地堆叠。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114762116 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202080083660.4 (74)专利代理机构北京市金杜律师事务所