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本发明涉及一种用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机。用于检测处理单元性能的晶圆选择包括:获取与待处理晶圆对应的处理单元类型以及每类处理单元的数量,确定处理组合;根据处理组合的数量,确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量;将待处理晶圆按批次依次输送进涂胶显影机进行处理;获取每一批次晶圆对应的记录表;根据记录表和每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的晶圆作为待检测晶圆。能够在对最少的晶圆进行检测的情况下,清楚的获取每个处理单元的处理效果,避
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114755896 A
(43)申请公布日 2022.07.15
(21)申请号 202110023981.1
(22)申请日 2021.01.08
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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