RB3701AD_rev0.8-晶准-恒佳盛一级代理.pdf

内置MOSFET锂电池保护芯片 RB3 701AD 概 述 特 性 RB3701AD 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池 1 内置 60 mΩ MOSFET 保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 散热好的DFN1X1-4L 封装 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3 内置过温保护 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路 4 超小静态电流和休眠电流 等各项保护等功能，确保电芯安全，高效的工 A 静态工作电流为 1.3 uA 作。 B 休眠电流为 0.3 uA RB3701AD 采用超小的 DFN1X1-4L 封装，封 5 符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 装高度为0.37m。外围只需要一个电阻和一 个电容，应用极其简洁，工作安全可靠。 典型应用图 应 用 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 自动激活问题 电阻 R1 阻值 100Ω-1kΩ ， 电容 C1容值 0-1uF，接电芯后芯片能够自动激活，正常 工作。 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 1 VDD 电源端 2,3 GND 芯片地，接电池芯负极 4 VM 充电器负电压接入端 EPAD EPAD 悬空或接 GND 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） D01 RB3701AD DFN1X1-4L 4.30 4.10 2.80 3.0 0.60 xx 注意：打印标记的 xx 为字母和数字，用于产品批次识别。 RB3701AD rev 0.8 1/ 8 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB3 701AD 原理图 Figure 2. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD 和 GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压 （VM 和GND 间电压) VM -8 10.0 V 存贮温度范围 TSTG -55 145