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存储单元及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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存储单元及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种存储单元及其制备方法，存储单元包括：SOI衬底，包括依次层叠设置的背衬底、埋氧层以及顶层硅层；晶体管包括栅极、源区及漏区，所述源区和所述漏区分别形成于所述栅极相对的两侧的所述SOI衬底的所述顶层硅层内；以及电容，位于所述埋氧层内，与所述晶体管的漏区电连接。上述存储单元整体面积最小化，从而提高具备该存储单元的存储电路的集成度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765177 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110055699.1 (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人 无锡华润微电子有限公司 地址 21

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