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- 2023-05-16 发布于四川
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本发明涉及一种存储单元及其制备方法，存储单元，包括：衬底，所述衬底内设有电容沟槽；晶体管，包括栅极、源区及漏区，所述栅极形成于所述衬底上，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极相对的两侧的衬底内；以及电容，位于所述电容沟槽内，且与所述漏区电连接。上述存储单元在衬底内形成有电容沟槽，电容位于该沟槽内，相比于传统技术中的设置于金属层之间的平板电容，即便在存储单元缩小的情况下仍然能够保证电容的极板的面积较大，从而扩大电容容量，提升存储单元的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114765178 A
(43)申请公布日 2022.07.19
(21)申请号 202110055703.4
(22)申请日 2021.01.15
(71)申请人 无锡华润微电子有限公司
地址 21
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