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2SD2686
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)
2SD2686
Solenoid Drive Applications
Unit: mm
Motor Drive Applications
• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 .0 A)
• Zener diode included between collector and base
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V
Collector-emitter voltage VCEO 60±10 V
Emitter-base voltage VEBO 8 V
DC IC 1
Collector current A
Pulse ICP 3
Base current IB 0.5 A
DC 1.0
Collector power
PC (Note 1) W
dissipation t = 10 s 2.5 JEDEC ―
Junction temperature Tj 150 °C JEITA SC-62
Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C TOSHIBA 2-5K1A
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area, Weight: 0.05 g (typ.)
645 mm2)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
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