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半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

    本公开涉及半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：第一半导体结构，包括第一金属层；第二半导体结构，包括第二金属层；第二半导体结构设于第一半导体结构上，第一金属层具有嵌入至第二金属层的第一突出部。该半导体结构及其制造方法，第一金属层具有第一突出部，该第一突出部嵌入至第二金属层，以产生抵抗侧向应力的能力，增加了键合的结合强度和可靠性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765139 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110050709.2 (22)申请日 2021.01.14 (71)申请人 日月光半导体制造股份有限公司 地址

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