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- 2023-05-16 发布于四川
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本发明涉及半导体材料技术领域,特别是涉及一种肖特基结复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种肖特基结复合材料,由Ti3C2Tx片层及负载在所述Ti3C2Tx片层上的AgI微球组成,其中,一个Ti3C2Tx片层上负载有多个AgI微球。该肖特基结复合材料可用于光电化学传感器的肖特基结复合材料,能够大幅提升光电化学传感器的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114162821 A
(43)申请公布日 2022.03.11
(21)申请号 202111493886.4
(22)申请日 2021.12.08
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