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一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述红光半导体激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、(Alx6Ga1‑x6)y4In1‑y4P渐变电子阻挡层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、带隙过渡层和GaAs帽层。通过优化电子阻挡层的结构及厚度设计，在低Al组分AlGaInP波导层及AlInP限制层中插入组分渐变(Al1‑xGax)yIn1‑yP结构，并优化该层厚度及掺杂设计，达到

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765344 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110053399.X (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人 山东华光光电子股份有限公司 地址

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