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- 2023-05-16 发布于四川
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本发明提供一种晶体管器件的终端结构，截止环结构包括两个部分：内侧部分和外侧部分；在内侧部分，多晶硅场板与第一导电类型轻掺杂型漂移区通过栅氧化层相隔离，多晶硅场板上设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有金属场板；金属场板通过孔结构穿过绝缘介质层与多晶硅场板电连接；在外侧部分，多晶硅场板与第一导电类型轻掺杂型漂移区通过栅氧化层相隔离，在外侧部分的最外侧，金属场板通过孔结构穿过绝缘介质层与第一导电类型轻掺杂型漂移区连接；当器件承受耐压时，会在截止环结构内侧部分栅氧化层下漂移区内感应出第一导电类型电荷，使该区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 107331703 A
(43)申请公布日
2017.11.07
(21)申请号 20171
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