硅片清洗方法及电池.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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本发明涉及硅片清洗方法及电池。该硅片清洗方法中，将硅片依次进行第一水洗、化学清洗、第二水洗和提拉清洗，得到清洗后的硅片；所述化学清洗采用的试剂为碱液或酸液，所述酸液的质量浓度为0.4％～5％，所述酸液的组分包含HF，所述碱液的质量浓度为0.3％～0.9％；所述化学清洗的步骤的温度为20℃～30℃，时间为100s～300s；硅片包括硅基材及包覆于所述硅基材表面的透明导电薄膜。该硅片清洗方法能在高效去除镀膜硅片表面附着的粉尘或颗粒的同时，不损伤镀膜硅片。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114783857 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210358935.1 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人通威太阳能（金堂）有限公司地址