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- 2023-05-16 发布于四川
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本发明公开了一种掉电记忆存储方法和装置，包括：当MCU上电时，擦除第一数据存储区的数据，并将MCU当前工作数据写入第一数据存储区；擦除第二数据存储区的数据；所述第一数据存储区和第二数据存储区为MCU内设有的可独立擦除的存储区；当MCU接收到掉电信号时，将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。可实现在掉电时只进行数据写入，而数据写入时间很短，故可实现大数据量掉电记忆。即使第二数据存储区所存储的数据不完整，第一数据存储区也完整保存有上一次有效的MCU工作参数，稳定性较好。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114780041 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210488103.1
(22)申请日 2022.05.06
(71)申请人 佛山市顺德区卓晶电子科技有限公
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