一种生长高质量异质外延单斜氧化镓晶体的方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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一种生长高质量异质外延单斜氧化镓晶体的方法.pdf

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本发明涉及利用化学气相沉积领的低压化学气相沉积(LPCVD)法生长高质量异质外延β‑Ga2O3晶体的方法，其中所述方法包括以下工艺步骤：制备具有沿不同方向倾斜切割的六边形表面的基底，使得倾斜角在2°至10°的范围内，通过氩气将在第二区（2）中加热的镓获得的蒸气物理地输送到泵（4）/样品，用单独的陶瓷或难熔金属管将氧气驱动到系统中，并在基底上方将其直接垂直地转移到样品上，在所述表面上形成β‑Ga2O3核心层，使得生长表面上的Ga∶O表面原子的比例在10∶1至1∶10的范围内，以确保Ga和O的表面原

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114761627 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202180006961.1 (74)专利代理机构上海尚宝律师事务所 31372